Вестник МГОУ. Серия: Физика-математика / 2019 №1
Название статьи | МЕТОДЫ СОВЕРШЕНСТВОВАНИЯ ХАРАКТЕРИСТИК ПРОЗРАЧНЫХ ЭЛЕКТРОДОВ НА ОСНОВЕ ОКСИДА ЦИНКА |
Авторы | Абдуев А.Х., Асваров А.Ш., Ахмедов А.К., Беляев В.В., Скворцов А.Ю., Пленцова Д.С. |
Серия | Физика-математика |
Страницы | 74 - 82 |
Аннотация | Изучено влияние состава потока реагентов на условия формирования и структуру слоёв на основе ZnO. Показано, что ключевым резервом в увеличении электропроводности и подвижности носителей заряда прозрачных электродов на основе ZnO:Ga является повышение структурного совершенства слоёв. Анализ полученных результатов исследований показывает, что увеличение парциального давления паров металла в газовой фазе влечёт за собой соответствующее увеличение подвижности компонентов и увеличение кристаллического совершенства синтезируемых поликристаллических слоёв. |
Ключевые слова | физика твёрдого тела, прозрачный электрод, сопротивление, температура, синтез |
Индекс УДК | 621.3.032.27 |
DOI | 10.18384/2310-7251-2019-1-74-82 |
Список цитируемой литературы | 1. Flexible Electronics: Materials and Applications / W. S. Wong, A. Salleo, eds. US: Springer, P. 473-442. 2. Mochel J. M. Electrically conducting coating on glass and other ceramic bodies / Patent USA 2564987A. Printed 08.21.1951. 3. Minami T. New n-type transparent conducting oxides // MRS Bulletin. 2000. Vol. 25. Iss. 8. P. 38-44. 4. Ren W., Cheng H.-M. The global growth of graphene // Nature Nanotechnology. 2014. Vol. 9. P. 726-730. 5. The Potential of Graphene as an ITO Replacement in Organic Solar Cells: An Optical Perspective / Koh W. S., Gan C. H., Phua W. K., Akimov Y. A., Bai P. // IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. 2014. Vol. 20. Iss. 1. P. 36-42. 6. Transparent Conductive Films (TCF) Market Research Report [Электронный ресурс] // IndustryARC : [сайт]. https://industryarc.com/Report/16335/transparent-conductive-films-market.html?gclid=EAIaIQobChMI4I7h7on44AIVBs yCh3paQBfEAAYAiAAEgI8w_D_BwE (дата обращения: 15.12.2018). 7. Ellmer K. Resistivity of polycrystalline zinc oxide films: current status and physical limit // Journal of Physics D: Applied Physics. 2001. Vol. 34. No. 21. P. 3097-3108. 8. Microstructural evolution during film growth / Petrov I., Barna P. B., Hultman L., Greene J. E. // Journal of Vacuum Science and Technology A. 2003. Vol. 21. Iss. 5. P. 117. 9. ZnO layers growth mechanism / Abduev A. Kh., Asvarov A. Sh., Achmedov A. K., Kamilov I. K., Suljanov S. N. // NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry. 2005. Vol. 194. P. 15. 10. Процессы газофазной кластеризации при магнетронном распылении цинка / Абдуев А. Х., Ахмедов А. К., Асваров А. Ш., Алиханов Н. М., Эмиров Р. М., Муслимов А. Э., Беляев В. В. // Кристаллография. 2017. Т. 62. № 1. С. 130-136. |
Полный текст статьи | |
Кол-во скачиваний | 21 |

