Вестник МГОУ. Серия: Физика-математика / 2015 №1

Название статьи ОСОБЕННОСТИ СТРУКТУРЫ ПЛЕНОК ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ С РАЗВИТОЙ ПОВЕРХНОСТЬЮ
Авторы Трегулов В.В.
Серия Физика-математика
Страницы 64 - 69
Аннотация Представлены результаты исследования структуры пленки пористого кремния, сформированной методом электрохимического травления на поверхности текстурированной кремниевой монокристаллической подложки. Установлено, что обработка пленки пористого кремния в водном растворе HF способствует формированию развитой поверхности. Исследуемая пленка состоит из слоев, различающихся размерами кремниевых кристаллитов и химическим составом.
Ключевые слова пористый кремний, поверхность, комбинационное рассеяние света, фотолюминесценция
Индекс УДК 539.2
DOI
Список цитируемой литературы 1. Salcedo W.J., Fernandez F.R., Rubimc J.C. Influence of laser excitation on Raman and photoluminescence spectra and FTIR study of porous silicon layers // Brazilian Journal of Physics.
2. Венгер Е.Ф., Горбач Т.Я., Кириллова С.И., Примаченко В.E., Чернобай В.А. Изменение свойств системы пористый Si/ Si при постепенном стравливании слоя пористого Si // ФТП. 2002. Т. 36. Вып. 3. С. 349-354.
3. Химические свойства неорганических веществ / P.A. Лидин и др.; М.: КолосС, 2006. 480 с. 739-744. 1999. Vol. 29. No. 4. P. 751-755.
4. Yang М., Huang D., Hao P. Study of the Raman peak shift and the linewidth of light-emitting porous silicon // J. Appl. Phys. 1994. Vol. 75. No.l. P. 651-653.
5. Тутов E.A., Бормонтов E.H., Кашкаров В.М., Павленко М.H., Домашевская Э.П. Влияние адсорбции паров воды на вольт-фарадные характеристики гетероструктур с пористым кремнием // ЖТФ. 2003. Т. 73. Вып. 11. С. 83-89.
6. Горячев Д.H., Беляков Л.В., Сресели О.М. Формирование толстых слоев пористого кремния при недостаточной концентрации неосновных носителей // ФТП. 2004. Т. 38. Вып. 6. С. ISSN 2072-8387 ] Вестник МГОУ. Серия: Физика-Математика f 2015 / № 1
Полный текст статьи pdf
Кол-во скачиваний 7

 

Яндекс цитирования Яндекс.Метрика Рейтинг@Mail.ru

   

© 2007 - 2018 Московский государственный областной университет

При цитировании ссылка на «Вестник МГОУ» обязательна. Воспроизведение материалов в печатных, электронных или иных изданиях, без разрешения редакции, запрещено. Опубликованные в журнале материалы могут использоваться только в некоммерческих целях.